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【資料圖】

PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發電壓和極低的鉗位電壓，為敏感系統的保護提供了一種高效的解決方案

奈梅亨，2022年12月19日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000－4－5浪涌等級。

Nexperia高級產品經理Stefan Seider表示：“Nexperia開發了TrEOS產品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3．2、USB4?、Thunderbolt?、HDMI 2．1和通用閃存等應用的高性能ESD保護解決方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速開關速度可為高速數據線提供極為有效的ESD峰值抑制性能，而其低觸發電壓有助于顯著降低IEC61000－4－5 8／20 ?s浪涌脈沖所含的能量。”

單數據線PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603－2封裝，觸發電壓為6．3 V TLP，典型器件魯棒性和電容分別為25 A 8／20 ?s和0．7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16 A 100 ns TLP時僅為2．4 V，在20 A 8／20 ?s浪涌時僅為3．4 V。雙數據線PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006－3封裝，觸發電壓為8 V，典型器件魯棒性超過14 A 8／20 ?s，典型器件電容為0．82 pF。

雖然這兩種器件都可為USB2．0 D＋／D－線路提供出色的保護作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過7．5 GHz，因此適用于5 Gbps時的USB3．x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出眾的IEC61000－4－5浪涌等級。

關于新款器件的更多信息，包括產品規范和數據手冊，請訪問：nexperia．com／pip／PESD4V0Y1BBSF以及nexperia．com／pip／PESD4V0X2UM。關于Nexperia完整的Nexperia TrEOS產品組合，請訪問nexperia．com／xx。

關于Nexperia

Nexperia，作為生產大批量基礎半導體二極管件的專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14，000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司（600745．SS）的子公司，擁有龐大的知識產權組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認證。

關鍵詞： Nexperia