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目前，同業競爭氮化鎵技術均未推出插件式封裝的氮化鎵器件。采用符合產業標準的插件式封裝，電源能夠以更低的成本獲得功率密度優勢。

加州戈利塔－－2023年1月13日－－（美國商業資訊）－－高可靠性、高性能氮化鎵（GAN）電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）今日宣布推出新的240瓦電源適配器參考設計。TDAIO－TPH－ON－240W－RD設計方案采用了CCM升壓PFC＋半橋LLC拓撲結構，功率密度高達30W／in3，最大功率轉換效率超過96％。該設計使用了三個Transphorm的SuperGaN®功率管 （TP65H150G4PS），該氮化鎵功率管的導通電阻為150毫歐，采用為業界所熟悉且深受信賴的三引腳TO－220封裝。在使用PFC架構、較高電流的電源系統中，這種晶體管封裝形式具有出色的低壓線路散熱性能。

(資料圖)

該參考設計旨在簡化并加速電源系統的開發，適用于高功率密度的交直流電源、快充、物聯網設備、筆記本電腦、醫療用電源、以及電動工具等應用。

主要規格及特點

TDAIO－TPH－ON－240W－RD是一款240W 24V 10A交直流電源適配器參考設計，采用Transphorm的TP65H150G4PS氮化鎵功率管，搭配onsemi的市售NCP1654 CCM PFC控制器和NCP1399 LLC控制器。使用一個25毫米的散熱器，該設計的功率密度超過了24W／in3?；诓煌纳崞髟O計，功率密度可提高約25％，達到30W／in3。

如此高的功率密度和轉換效率主要得益于設計中使用了TO－220封裝的功率管。目前，業界只有Transphorm提供這種封裝形式的高壓氮化鎵器件。電源適配器以及所有通用交直流電源的低壓線路（即90Vac）具有高電流，需要并聯兩個PQFN封裝（常見于增強型氮化鎵器件）的功率管，以達到所要求的功率輸出——使用這種方法，器件數量翻倍，降低了電源的功率密度。Transphorm的TO－220封裝有效解決了這一問題，以更低的成本實現卓越的功率密度，這是目前增強型氮化鎵器件無法做到的。

其它規格及特點還包括：

· 可運行于90至264 Vac的寬輸入電壓下

· 峰值效率超過96％，不同電路及負載下效率曲線平坦

· 精準的開關頻率調節，提高輸入EMI濾波器的利用率

· 超過180kHz的開關頻率，適用于緊湊型設計

此款新參考設計，豐富了Transphorm的適配器／快充設計工具組合。該產品組合目前包括五個開放式USB－C PD參考設計，功率等級覆蓋45瓦至100瓦，以及兩個用于65瓦和140瓦的開放式USB－C PD／PPS適配器參考設計。

SuperGaN®的技術優勢

在設計SuperGaN平臺時，Transphorm的工程團隊借鑒了以往產品生產過程中的經驗，將這些知識與對性能、可制造性和成本的改進相結合，進而開發出一個由專利技術組成的新GaN平臺。該平臺在諸多方面均有實質性的改進和極大的簡化，例如：

· 性能：更平坦、更高的效率曲線，品質因數（RON＊QOSS）提高約10％。

· 易設計性：在高輸出電流下， 開關節點不需增加緩沖電路。

· 成本：簡化器件組裝有助于降低成本。

· 穩健性：業界領先的＋／－20Vmax柵極穩健性和4V抗干擾性能。

· 可靠性：業界領先的可靠性，在超過850億小時的現場應用中，FIT失效率＜0．10。

相關文件下載

TDAIO－TPH－ON－240W－RD設計文件下載：

https：／／www．transphormchina．com／en／reference－design／tdaio－tph－on－240w－rd／

關于 Transphorm

Transphorm， Inc．是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1，000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC－Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99％、將功率密度提高40％以及將系統成本降低20％。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。

關鍵詞： Transphorm 電源適配器參考設計