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2018年，特斯拉在Model 3中首次將IGBT模塊換成了SiC模塊，成為第一家在量產汽車中使用SiC芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結果表明，在相同功率等級下，SiC模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關損耗降低了75％。換算下來，采用SiC模塊替代IGBT模塊，其系統效率可以提高5％左右。

(相關資料圖)

一場特斯拉的大風，引燃了SiC。

然而，就在剛剛過去的3月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統SiC用量大減75%，因借創新技術找到下一代電動車動力系統減少使用SiC的方法，也不會犧牲效能。

這一消息引發了投資者對SiC市場規模增長的擔憂，直接沖擊全球第三代半導體廠商股價。

就當下的市場情況來看，第三代半導體的發展仍然如火如荼，企業融資并購、廠商增資擴產、新玩家跑步入場、新項目不斷涌現，各研究機構對于SiC的前景也是十分看好。根據TrendForce發布的《2023 SiC功率半導體市場分析報告》顯示，隨著英飛凌、安森美等與汽車、能源廠商合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%。同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce預期，至2026年SiC功率元件市場規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。

然而，對于中國來說，這個賽道，不只是激昂與澎湃。畢竟現在很多SiC領頭企業還在被盈利難而困擾。

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SiC盈利是難題

SiC產業鏈可分為三個環節：分別是上游襯底，中游外延片和下游器件制造。

中國的SiC襯底廠商包括天科合達、山東天岳、河北同光晶體、露笑科技、中科集團2所、世紀金光、江蘇超芯星、安徽微芯、三安光電、晶盛機電、天通股份、楚江新材、東尼電子等。

外延片企業：東莞天域、瀚天天成、中電科55所、中電科13所、三安光電等。

器件/模組企業：泰科天潤、嘉興斯達、中車時代電氣、揚杰科技、華潤微、捷捷微電、華微電子、斯達半導、聞泰科技、中電科55所、基本半導體、世紀金光、國基南方、國家電網等。

可以看到，當前國內已經有不少企業開始快速跟進SiC的發展，其中的一些企業已經入局十余年之久，然而對于許多應用而言，它仍然過于昂貴，因此許多老牌廠商還面臨著利潤虧損的難題。

日前，天岳先進發布了2022年年報及今年一季報。年報顯示，2022年，天岳先進實現營業收入約4.17億元，同比減少15.56%；歸屬于上市公司股東的凈利潤虧損約1.75億元；基本每股收益虧損0.41元。今年Q1，實現營收1.93億元，同比增長185.44%；歸母凈利潤虧損2815余萬元，同比、環比均實現減虧。

總體上看，與上市前的2021年和2020年相比，天岳先進營收及凈利潤都差強人意。一上市就業績變臉，固然有著行業及環境因素，但天岳先進2023年也顯得壓力不小。

近日，露笑科技也發布2023年Q1業績報告，報告顯示Q1公司實現營業收入5.8億元，較上年同期下降28.46%，歸屬于上市公司股東的凈利潤0.45億元，較上年同期上升243.43%。露笑科技Q1表現還算不錯，不過其2022年也是呈現虧損狀態，露笑科技2022年實現營業總收入33.42億元，同比下降6.00%。歸屬于母公司所有者的凈虧損2.56億元，同比由盈轉虧。

可以看到，這還僅僅是對于一些尚已有所規模的廠商而言，那些相對小型的SiC廠商，將需要面臨更加嚴峻的挑戰。

那么，對于中國規模較小的SiC供應鏈參與者來說，2023難在哪兒？

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風向標生變，投資者欲撤資

對于半導體行業任何品類的小型廠商來說，資金都是“老大難”。眾所周知，半導體行業是一個重資產制造業，從投入到產出需要大量的時間與成本，而特斯拉又是電動汽車采用SiC的風向標，其減少使用SiC的動作直接沖擊到資本市場，天岳先進、東尼電子、晶盛機電、乾照光電等概念股應聲“跳水”。

據悉，目前有一些投資者正在考慮從那些仍然無法突破生產瓶頸的小型SiC供應商那里撤出資金。這導致一些供應商大肆宣傳收到的大訂單或關鍵技術的準備情況，顯然是為了吸引更多的新資金。另外，在同行之間日益激烈的競爭中，小型SiC制造商的產能利用率和收入表現不太可能得到很好的改善，這反過來將進一步削弱戰略投資者的信心。

沒有資本的加持，小型SiC廠商很難有足夠的力量去應對未來多變的市場。

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設備交付機會受到擠壓

中國企業也在積極研發和探索SiC器件的產業化，然而在今年，中國小型SiC廠商將發現在供應緊張的情況下更難購買相關的制造設備。

據供應鏈消息人士稱，一家主要的中國電動汽車制造商正在積極進軍SiC供應鏈，試圖從國際供應商那里購買所有可用設備。與此同時，汽車制造商比亞迪、吉利以及華為和小米等手機供應商都在持續深化在汽車半導體領域的部署，有些甚至采用雙軌方法來開發硅基和化合物半導體。

過去半年汽車銷量呈爆炸式增長的中國一線電動汽車制造商正在著手構建自己基于SiC的功率器件供應鏈，從組件、模塊到上游材料，其激進的設備采購加劇了相關設備供應的短缺，顯然擠壓了小型SiC材料制造商訂購設備的交付機會。

海外SiC大廠的加速擴張，也導致了中國小型SiC廠商難以獲得制造設備。比如：意法半導體（ST）計劃今年其SiC業務的銷售額從 7 億美元增加到 10 億美元；安森美今年計劃在捷克共和國投資 10 億美元；英飛凌正在擴大其在奧地利和維也納的SiC生產；Wolfspeed 宣布計劃在德國薩爾州建設全球最大的SiC工廠。隨著海外各大廠商的迅速跟進，以及材料制備工藝的多元化發展，未來市場格局將充滿變數。

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難以突破技術壁壘

巧婦難為無米之炊，設備沒有到位是一方面，影響擴產速度的另一方面原因是SiC襯底制備本身就存在極高的技術壁壘。

第一，SiC襯底制備對溫度和壓力的控制要求極高，其生長溫度在 2300℃以上；第二，SiC長晶速度慢，7 天的時間大約可生長 2cm SiC晶棒，且晶棒切割難度大，因此SiC襯底從樣品到穩定批量供貨大約需要5年；第三，晶型要求高、良率低，只有少數幾種晶體結構的單晶型SiC才可作為半導體材料；第四，切割磨損高，由于SiC的硬度極大，在對其進行切割時加工難度較高且磨損多。

昂貴的時間成本和復雜的加工工藝使得SiC襯底的成本較高，限制了SiC的應用放量。

此外，SiC是新材料，與Si的制造工藝有所不同，沒有辦法借鑒Si材料的經驗所以要做相應的研發。解決好工藝問題之后，可同步做產品研發與驗證——先流一次片，再測試一遍，若發現問題就去改，改完以后再流片、做可靠性驗證，一般這類流程需要過3-4次。

值得注意的是，產能不足并不僅限于小型企業，當前SiC襯底供需緊張，擴產速度跟不上市場需求對于整個SiC賽道都是通病。特斯拉減少SiC的用量也有產能不及需求的因素，只是對于小型SiC廠商來說，突破一系列的技術壁壘可能需要花費更多的精力和財力，短期內難以與頭部企業競爭，而市場本就有先發優勢，這樣一來，他們在市場競爭力上便落于下風。

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結語

近年來，隨著新材料技術的不斷發展，國內SiC器件供應商面臨著一系列重大的挑戰和機遇。一方面，新材料對Si的取代勢頭迅猛，給傳統Si器件帶來了巨大的沖擊；另一方面，國產器件正以高質量和競爭力不斷崛起，對國外器件構成了有力的競爭。在這個充滿變革和競爭的過程中，SiC器件供應商必須勇于面對問題，并做好應對策略，才能在激烈的市場競爭中立于不敗之地。

首先，SiC器件供應商需要成為優秀的長跑者。市場的競爭是一場持久戰，需要持之以恒的努力和耐心。SiC器件技術的研發和商業化落地是一個漫長而復雜的過程，需要供應商們始終保持耐心和毅力。

其次，SiC器件供應商必須面對眾多的問題。技術問題、市場問題、資金問題等等，都是他們需要直面和解決的挑戰。在這個高度競爭的市場環境中，勝利屬于那些有持之以恒精神的人。供應商們需要堅定信心，咬牙堅持，不畏困難和挫折，持續不斷地推動技術創新和產品升級，才能在激烈的競爭中取得成功。

原文標題:中國小型SiC廠商，難過2023

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