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(資料圖片)

引言

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日本在全球半導體產業發展歷程中曾創造了“輝煌”的歷史。20世紀80年代，日本在全球半導體產業鏈中的份額約為50%，一度超過了美國。但隨后日本的產業影響力逐年下降，近年來更是被中國、韓國等趕超，全球市場份額已大幅下滑。日本半導體產業發展究竟經歷了什么？在哪些細分領域還擁有較大優勢？

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日本半導體產業影響力簡析

日本半導體產業是全球半導體產業版圖中的重要一環，擁有一大批知名的半導體企業。從引進美國技術到自主創新，日本半導體產業快速崛起，并在20世紀80年代超越美國占據“頭把交椅”。雖然后面受美國打壓，半導體產業影響力持續下滑，但在半導體材料、設備、功率半導體等領域依然擁有強大競爭力，并積累形成了大一批知名企業，主要分布在東京和九州硅島。例如，東京電子、迪恩士（SCREEN）、羅姆、尼康、鎧俠、瑞薩、東芝、日亞化學、大日本印刷、凸版印刷、大陽日酸、關東電化、日立化成、富士美、東京應化、JSR、信越化學等代表性企業，在細分領域都擁有很強的競爭力。

表1：日本半導體產業主要分布區域及重點企業

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來源：火石創造根據公開資料整理

半導體產業曾經風光無限，但現在已逐漸演變為政治道具。2019年，日本限制向韓國出口氟化聚酰亞胺、光刻膠和高純氟化氫3種半導體工藝材料，而韓國在氟化聚酰亞胺、光刻膠、高純度氟化氫三種材料上對日本依賴度分別高達93.7%、91.9%、43.9%，一度打亂韓國半導體行業進程，直到2023年雙方才達成和解。2023年3月，日本稱從7月開始將把6類23種高端半導體制造設備（14nm-10nm制程以下）加入到對華出口管制對象，涉及芯片清潔、沉積、光刻、蝕刻等環節。在地緣政治摩擦之下以及受美國的鉗制影響下，日本半導體產業想要重新崛起，難度或將十分巨大。

02

日本半導體產業發展歷程

日本政府集中資源十分重視研發，支持大規模投資生產并參與全球競爭。日本半導體產業發展大致有以下幾個階段：

1、以引進美國技術為主的起步階段（1950-1970年）：主要從美國引進半導體相關技術。1953年，東京通信工程株式會社以2.5萬美元的白菜價從美國西屋電氣引進了世界最先進的晶體管技術。借助這項技術，會社在1955年生產了世界上第一款袖珍收音機并正式改名“索尼”。1957年，日本政府頒布《電子工業振興臨時措施法》，通過立法扶持電子產業，支持日本企業學習美國先進技術來發展半導體產業。1962年，日本NEC從美國仙童半導體購買了平面光刻的生產工藝，擁有了集成電路的制造能力，同期日立、東芝和美國的RCA、通用電氣等達成了技術轉讓協議。1963年，日本政府要求NEC將獲得的半導體技術與其他企業分享，由此三菱等企業也開始進入半導體產業。1968年，索尼和德州儀器成立合資公司。日本半導體產業就此形成。

2、以自主研發為主的厚積薄發階段（1970-1985年）：“官產學”一體的科研體系促進自主研發和國產化。在代工與技術引進的基礎上，日本在20世紀70年代開始使用“官產學”三位一體的科研體系。典型的有VLSI計劃（超大規模集成電路研究計劃），該計劃由日本通產省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、日本電氣五大公司為骨干，投資700多億日元。通過舉國體制集中人才等各類優勢發展半導體產業，極大地促進各企業間的交流，日本的半導體水平逐漸趕上美國，在特定的一些領域則超過美國。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產國。1985年，日本第一次在市占率上超越美國，成為全球最大半導體生產國。同期，日本快速推進半導體相配套的設備、材料的國產化。20世紀80年代，日本在半導體全產業鏈都擁有很強的話語權。

3、受美國打壓為主的衰落階段（1985-2000年）：美國打壓、脫離全球產業鏈等導致產業衰落。日制DRAM在質量、價格和交貨時間方面均獲得很高評價，使得80年代日制DRAM在全球市場中所占份額不斷上升，1982年超越美國，1987年達到頂峰約80%。多年以來日本企業一直都在快速擴張市場，卻忽略了大部分技術都是從美國學來的。1985年美國針對日本半導體產業發起301調查，先后于1986年、1991年簽訂達成第一次、第二次半導體協議，使得日本半導體廠商的價格優勢喪失，份額逐漸受到韓國及中國臺灣新興廠商的侵蝕。此外，日本采取了與國際標準不同的產品設計標準，變向保護了本國市場，卻脫離了全球產業鏈。

4、產業整體衰落伴隨實力分化為主的階段（2000年至今）：政府大力投入但無法挽救衰落，逐漸往產業鏈上游實力分化。2000年后，日本政府對科學技術發展進行高額預算資金投入但依舊無法挽救日益走向衰落的產業。日本很注重基礎研究，但始終無法獲得成功，主要原因就在于無法將技術變為產品，將產品塑造成模式。傳統經營理念根深蒂固、業務分離不徹底等限制了企業的轉型發展。2002年，NEC將半導體業務獨立出來成為子公司。2003年，日立和三菱的半導體業務部門合并，成立瑞薩科技。在半導體業務成為獨立部門之初，企業都計劃將其轉型為水平分工模式，即工廠單獨分離成代工企業，但都沒有很好的執行下去，限制了企業的轉型發展。目前日本廠商主要針對NAND Flash、CIS（CMOS圖像傳感器）、汽車電子、功率分立器件等細分品類，在高端數字電路方面涉足不多。但值得注意的是，日本的技術實力依舊十分強大，許多人將這段時間稱為“失去的二十年”，實際上日本已經悄無聲息的完成了從產品到產業鏈上游的轉型。得益于良好的工業基礎和持續的技術積累，日本在材料和設備領域具有較強優勢，仍在全球市場占據非常重要的地位。

圖1：日本半導體產業發展歷程

來源：火石創造根據公開資料整理

03

日本半導體產業發展特征

1、集中研發高投入，從國外引進技術到產官學自主研發。舉國體制是日本實現電子行業追趕的有效模式，快速推進了新技術和新產品的研發和產業化。

2、參與市場化競爭，成本質量優勢取勝。日本非常注重質量管理體系和產品質量，又在美國市場拓展上采用“價格永遠低10%”策略的價格戰，很快擴大了全球市場份額。

3、政府出臺優惠政策，大力扶持半導體產業發展。從起步階段密集的產業政策扶持，到2022年《半導體援助法》，再到2023年3月公布的“半導體產業緊急強化方案”，政府政策扶持伴隨著產業發展的整個歷程。

4、貿易戰下妥協簽訂半導體協議，導致發展環境惡劣。美國曾經兩次逼迫日本簽訂半導體協議，雖然第三次逼迫簽訂半導體協議失敗，遭到打擊的日本半導體產業快速衰落。

5、脫離全球產業鏈，保護本國市場但失去了全球市場。在國際分工合作的趨勢下，日本采取了與國際標準不同的產品設計標準，變向保護了本國市場，卻脫離了全球產業鏈，無法參與到國際合作中。例如，日本在2G技術中沒有采用通用的GSM標準而是采用獨特PDC標準，國外手機廠商無法進入日本，日本的手機廠商也很難打開海外市場，后面重新放開也依舊錯失產業發展時機。

—END— 作者 | 火石創造 李葉平審核 | 火石創造 廖義桃殷莉如需轉載，請郵件

原文標題:看全球｜日本半導體與集成電路產業分析

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