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(資料圖片)

1、什么是depletion mode MOSFET　　根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。

2、耗盡型是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。

3、　　耗盡型MOS場效應管，是在制造過程中，預先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時，這些正離子產生的電場也能在P型襯底中“感應”出足夠的電子，形成N型導電溝道。

4、　　當UDS>0時，將產生較大的漏極電流ID。

5、如果使UGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場，使N溝道變窄，從而使ID減小。

6、當UGS更負，達到某一數值時溝道消失，ID=0。

7、使ID=0的UGS我們也稱為夾斷電壓，仍用UP表示。

8、UGS

9、　　N溝道耗盡型MOSFET的結構與增強型MOSFET結構類似，只有一點不同，就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時，溝道已經存在。

10、該N溝道是在制造過程中應用離子注入法預先在襯底的表面，在D、S之間制造的，稱之為初始溝道。

11、N溝道耗盡型MOSFET的結構和符號如圖1.（a）所示，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。

12、所以當VGS＝0時，這些正離子已經感應出反型層，形成了溝道。

13、于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。

14、當VGS＞0時，將使ID進一步增加。

15、VGS＜0時，隨著VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至ID＝0。

16、對應ID＝0的VGS稱為夾斷電壓，用符號VGS(off)表示，有時也用VP表示。

17、N溝道耗盡型MOSFET的轉移特性曲線如圖1.（b）所示。

18、 (a) 結構示意圖 　　　　　　 (b) 轉移特性曲線。

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