中國上海,2022年3月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業設備開關電源,其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。
與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現了優異的低損耗特性。此外,開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低,有助于減少開關電源的電磁干擾(EMI)。該產品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance(N)這兩種類型的表面貼裝封裝。
與此同時,東芝還提供各類工具,為開關電源的電路設計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型,現在還提供能精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝將進一步擴大其MOSFET產品線,通過減少損耗提高設備電源效率,進而幫助其降低功耗。
應用:
- 通信設備電源
- 開關電源(高效率DC-DC轉換器等)
特性:
- 優異的低損耗特性(在導通電阻和柵開關電荷及輸出電荷間取得平衡)
- 卓越的導通電阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V
- 高額定結溫:Tch(最大值)=175℃
主要規格:
(除非另有說明,@Ta=25℃)
注:
[1] 截至2022年3月的東芝調查。
[2] 柵極開關電荷和輸出電荷。
[3] 與現有產品TPH1500CNH(U-MOSⅧ-H系列)相比,該產品將漏源導通電阻×柵開關電荷提高了大約20%,漏源導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。
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