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【資料圖】

全面優化12V熱插拔和軟啟動應用中控制浪涌電流的RDS（on）和SOA

奈梅亨，2022年11月18日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優化的25V和30V器件。新款器件將業內領先的安全工作區（SOA）性能與超低的RDS（on）相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信設備。

多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離（BMS）、直流電機控制、以太網供電（POE）和汽車安全氣囊等應用的產品優化升級不斷取得成功。

浪涌電流給熱插拔應用帶來了可靠性挑戰。為了應對這一挑戰，增強型SOA MOSFET領域的前沿企業Nexperia專門針對此類應用進行了全面升級，設計了適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，并增強了SOA性能。與之前的技術相比，PSMNR67－30YLE ASFET的SOA（12V ＠100mS）性能提高到了2．2倍，同時RDS（on）（最大值）低至0．7mΩ。與未優化器件相比，新款器件不僅消除了Spirito效應（表示為SOA曲線的更高壓區域中更為陡峭的斜向下曲線），還同時保持了整個電壓和溫度范圍內的出色性能。

Nexperia通過在125°C下對新款器件進行完全表征，并提供高溫下的SOA數據曲線，消除了熱降額設計的必要性，從而為設計人員提供進一步支持。

8款新產品（3款25V和5款30V）現已可選擇LFPAK56或LFPAK56E封裝，其中RDS（on）范圍為0．7m?到2m?，可適用于大多數熱插拔和軟啟動應用。其他2款25V產品的RDS（on）更低，僅為0．5m?，預計將于未來幾個月內發布。

關于Nexperia

Nexperia，作為生產大批量基礎半導體二極管件的專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14，000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司（600745．SS）的子公司，擁有龐大的知識產權組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認證。

關鍵詞： Nexperia