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隨著新能源汽車和變頻器行業的蓬勃發展，電機電控對IGBT功率器件的需求日益增長；電機控制器作為電動汽車的核心部件，其安全性和可靠性直接影響到整車；而IGBT(即絕緣柵雙極型晶體管)的性能則直接會影響電機控制器的性能。

IGBT為垂直導電大功率器件，一種由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件；具有高頻率、大電流、高反壓等優良特性，是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“cpu”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

(資料圖)

IGBT是電力電子系統能量控制和轉換的重要開關元器件之一，它的性能直接影響著電力電子系統的轉換效率、體積和重量；電力電子器件的性能在發展過程中追求著更高的電流密度、更小的通態壓降、更低的關斷損耗。

由于電動汽車在行駛過程中電機控制器的溫升較快，雖然電機控制器具備冷卻功能，但是當電動汽車在一些激烈駕駛工況下，如車輛滿載狀態時在堵轉工況和低速爬坡工況時，電機控制器的溫度快速上升容易觸發IGBT過熱報警，進入電機限功率從而停止工作影響車輛的正常使用。并且電機控制器長期過載使用，易導致因電機控制器因過熱而使IGBT損壞。因此針對電動汽車的電機控制器實現對IGBT溫度的監測和控制則顯得十分重要。

IGBT約占電機驅動系統成本的一半，而電機驅動系統占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率，IGBT的好壞直接影響電動車功率的釋放速度。

近年來IGBT各種新工藝、新技術不斷的涌現和產生，使IGBT的性能更加完善和優良；IGBT晶圓厚度決定了其器件的耐壓水平。

臺灣茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長期聚焦在功率半導體元件及電源管理IC領域，以MOS管、IGBT，模擬芯片、二極管等產品為主，降低晶圓導通電阻，通過六寸晶圓降低IGBT製造成本并得到較高的良率；打破國外壟斷現象。

目前市面上出現的晶圓直徑主要是150mm、200mm、300mm，分別對應6英寸、8英寸、12英寸的晶圓；國產芯片在晶圓的產能上，也就是在6寸上有優勢；

全球10大8”晶圓廠約有40座,其中33座在亞洲(臺灣15座,中國8座)在2019-2021產能僅擴廠5%,仍不足以滿足后續電動車與工業控制市場,導致IGBT持續漲價。

由工采網代理的臺灣茂矽電子推出的IGBT晶圓是有幾款1200V、FS工藝(15A、25A、40A)6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現場停止技術；低開關損耗；正溫度系數；簡單的平行技術。

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原文標題:新能源汽車和變頻行業高需求助推IGBT高速發展

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