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眾所周知，目前芯片制造均是采用光刻工藝，而光刻工藝下，光刻膠是非常重要的材料。

光刻膠是一種具有光敏化學作用的高分子聚合物材料，外觀上呈現為膠狀液體。涂在硅晶圓上，作為抗刻蝕層保護襯底表面。

(資料圖)

當光刻機的光線照射至涂了光刻膠的硅晶圓上時，光刻膠就會發生變化，再經過后續的刻蝕等工序之后，電路圖就會留在硅晶圓上了。

所以光刻膠在芯片制造中至關重要，同時光刻膠與芯片的工藝、光刻機的光線也是對應的。

目前從市場來看，光刻膠分為g線、i線、KrF、ArF、EUV這么5種，對應著不同的芯片工藝和光刻機的技術。

具體按照工藝來劃分的話，g線、i線主要用于250nm以上工藝，KrF一般用于250nm-130nm工藝，ArF一般用于130nm-14nm，而EUV用于EUV光刻工藝，主要用于7nm以下工藝。

從全球市場來看，光刻膠主要被日本廠商壟斷，特別是EUV光刻膠，目前全球僅日本廠商能夠生產。

2021年市場數據為：在g線/i線、KrF、ArF、EUV光刻膠市場中，日本企業的市占率分別為61%、80%、93%，100%，總體份額超過75%。

而之前有媒體報道稱，韓國廠商被日本卡脖子后，奮發圖強，也能夠生產EUV光刻膠了，但實際在市場上，還沒有具體見到。

而中國在光刻膠上面，高度依賴進口，按照機構給出的數據，目前在EUV光刻膠上，中國自給率為0，不過目前國內也生產不了7nm及以下的芯片，沒有EUV光刻機，也用不上EUV光刻膠。

而在ArF這種用于130nm-14nm芯片光刻膠上，國產的自給率約為1%，99%需要進口。不過近日有媒體報道稱，國產的ArF光刻膠已經有突破了，南大光電已經開發了多款ArF光刻膠在下游客戶處驗證，制程覆蓋28nm~90nm，這算是巨大的驚喜了。

而用于250nm-130nm工藝的KrF光刻膠，國產自給率約為5%，也就是說還有95%要進口，不過這一塊也不需太過于擔心，國產缺的是產能以及市場份額，不是技術，國外卡不住脖子。

在比較落后的g線、i線光刻膠上面，國產率超過20%了，畢竟這種技術門檻不高，之所以沒達到100%國產，原因更多的還是產能影響，不是技術。

可見發展中國芯，光刻膠也是需要突破的，EUV暫且不提，國內暫時也用不上。但是ArF光刻膠，它是用于14nm-130nm的光刻膠，是當前最重要的光刻膠之一了，也是國內最需要的光刻膠，我們可不能被國外卡住了脖子，你覺得呢？

原文標題:國產光刻膠自給率現狀：EUV為0%，ArF為1%，KrF為5%

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