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近日，揚杰科技發布公告稱，公司與揚州市邗江區政府簽署《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，公司擬在邗江區政府轄區投資新建6英寸碳化硅晶圓生產線項目，總投資約10億元，分兩期實施建設，項目全部建成投產后，形成碳化硅6英寸晶圓產能5000片／月。

作為第三代半導體材料的核心，碳化硅與傳統的硅半導體相比，具有寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，可以在更高溫度、更高電壓、更高頻率和更高輻射環境下工作，并具有更高的耐用性和可靠性，在汽車、工業、IT及消費電子等多個領域的應用中有替代硅基器件的潛力，未來前景廣闊。近年來，在全球“碳達峰、碳中和”的大背景下，新能源汽車、光伏等市場景氣度高企，對碳化硅產品的市場需求日益強烈，驅動碳化硅器件加速導入和發展，進一步打開了碳化硅的市場空間。

據悉，揚杰科技較早地布局了第三代半導體產業，已涉足碳化硅產品研發設計多年，形成了多項專利等知識產權，已成功開發并向市場推出SiC模塊及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列產品，SiC Mosfet已取得關鍵性進展，后續擬進一步布局6－8英寸碳化硅芯片生產線建設。若本次合作框架合同能實施落地，有利于充分發揮公司的技術研發、運營管理及客戶資源等核心優勢，及揚州產業支持政策、區位條件等優勢，幫助公司抓住碳化硅市場發展的良好機遇，加速提升公司碳化硅產品的技術水平和實現產品升級，有助于將公司打造成為碳化硅領域具有行業影響力的上市公司，推動公司積極轉型升級向高端制造業邁進，為功率器件國產化貢獻力量。

揚杰科技還表示，本框架合同簽署預計對公司2023年度經營業績不會構成重大影響，對公司未來年度經營業績的影響視雙方具體合作的推進和實施情況而定。

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