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(資料圖)

業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e－mode）氮化鎵器件的供應商

奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓（100／150 V）和高電壓（650 V）應用的E－mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E－mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。

Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E－mode GaN FET（RDS（on）值介于80 mΩ至190 mΩ之間），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm兩種封裝。這些產品可在高電壓（＜650 V）、低功率的數據通訊／電信、消費類充電、太陽能和工業應用中提高電源轉換效率，還可用于高精度無刷直流電機和緊湊型服務器設計，以實現更高扭矩和更大功率。

Nexperia現還提供采用WLCSP8封裝的100 V （3．2 mΩ） GaN FET和采用FCLGA封裝的150 V （7 mΩ） GaN FET。這些器件適合各種低電壓（＜150 V）、高功率應用，例如，數據中心使用的高效DC－DC轉換器、快速充電（電動出行類和USB－C類）、小尺寸LiDAR收發器、低噪聲D類音頻放大器以及功率密度更高的消費類設備（如手機、筆記本電腦和游戲主機）。

在許多功率轉換應用中，GaN FET憑借緊湊型解決方案尺寸能實現更高的功率效率，從而顯著降低物料（BOM）成本。因此，GaN器件在主流電力電子市場逐漸得到了廣泛應用，包括服務器計算、工業自動化、消費類應用和電信基礎設施?；贕aN的器件具備快速轉換／開關能力（高dv／dt和di／dt），可在低功率和高功率轉換應用中提供出色的效率。Nexperia的E－mode GaN FET具有出色的開關性能，這得益于極低的Qg和QOSS值，并且低RDS（on）有助于實現更高的功率效率設計。

這些新器件進一步擴充了Nexperia豐富的GaN FET產品系列，適合各種功率轉換的應用。產品組合包括支持高電壓、高功率應用的級聯器件，支持高電壓、低功率應用的650 V E－mode器件和支持低電壓、高功率應用的100／150 V E－mode器件。此外，Nexperia E－mode GaN FET采用8英寸晶圓生產線制造以提高產能，符合工業級的JEDEC標準。Nexperia的GaN器件產品系列不斷擴充，充分體現了Nexperia堅守承諾，促進優質硅器件和寬禁帶技術發展的決心。

關于Nexperia

Nexperia總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有15，000多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者，Nexperia的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1，000億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業基準，獲得廣泛認可。Nexperia擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。

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